必威betway体育官方网站SGT MOSFET在电动工具 、锂电保护板推荐应用

2023-07-19
SGT MOSFET优势介绍


MOSFET大致分类:平面型MOSFET;Trench (沟槽型)MOSFET,主要用于低压领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中压和低压领域;SJ-(超结)MOSFET,主要在高压领域应用。


SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应,在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下,器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度,可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量,所以SGT在雪崩时可以做得更好,更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源,电机控制,动力电池系统等应用领域中,SGT MOSFET配合先进封装,非常有助于提高系统的效能和功率密度。

提升SGT技术优势


功率密度

SGT结构相对传统的Trench结构,沟槽挖掘深度深3-5倍,可以横向使用更多的外延体积来阻止电压,显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance),例如相同的封装外形TO-252或TO-263封装,采用SGT芯片技术,可以得到更低的导通电阻。


如下图锂电保护控制板①处所示

必威betway体育官方网站采用SGT工艺研发,在①处可放置LJM90N03T

、LJM120N03T、LJM80N06T等必威betway体育官方网站MOS管


如下图锂电保护控制板②处所示

串联结构下,可采用2302、3400等MOS型号

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参数如下:

VGS=10V时,RDS(ON)=2.6mΩ(典型值)

低栅极电荷、低Crss、快速切换、额定极限dv/dt、100%雪崩测试、无铅电镀、符合RoHS。

应用领域


锂电保护  扫地机器人  吸尘器  无线充电

吸拖洗一体拖把  户外储能   移动电源  LED电源

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